IXYS新推IXYxN120A IGBT;TT电子发布HM78M 系列功率电感器;Murata MRMS AMR传感器面世


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高速存储和数据传输会随着5G的普及成为刚需。行业大厂也在这个细分产品领域推出新的产品。如何将产品性能发挥到最佳?欢迎进入今日bom2buy器件速递。


TT电子发布HM78M 系列功率电感器

图源 | Mouser

TT Electronics HM78M 系列功率电感器是一款屏蔽式、基于铁氧体的 SMD 电感器,专为工业市场中常见的高频直流/直流 (DC/DC) 转换器配置应用而设计。

凭借其高电感和高电流值,这些功率电感器提供 100 kHz 至 3 MHz 的开关频率配置范围,使其适合用作降压转换器或 EMI 滤波器。

TT Electronics 的 HM78M 系列提供两种标准包装尺寸:10 和 20。


IXYS新推IXYxN120A IGBT

图源|Mouser

IXYS IXYxN120A XPT™ Genx4 IGBT采用XPT薄晶圆技术的第四代沟槽IGBT。这些超低功耗VSAT IGBT的晶体管的开关频率高达5kHz,根据降低导通损耗的要求进行优化。

IXYxN120A IGBT具有高功率密度和低栅极驱动要求等优势,工作温度范围为-55°C至175°C。这些晶体管采用TO-247和TO-269HV封装尺寸,每种尺寸均具有1200V电压和55A或85A电流。

IXYxN120A IGBT适用于电源逆变器、电机驱动、PFC电路、电池充电器、焊接机、灯具镇流器和浪涌电流保护器电路等应用。


Bourns打造双通道高速保护器

图源 | ie.farnell

Bourns TBU-RS055-300-WH双通道双向保护器是TBU-RS高速设备,用于RS-485通信接口。

Bourns TBU-RS055-300-WH的最大脉冲电压为550V,最大RMS电压为250V。该瞬态阻断单元过流和TVS过压保护器是一套集成解决方案,有助于符合IEC 61000-4-2 (ESD)、IEC 61000-4-4 (EFT) 和IEC 61000-4-5(浪涌)标准。

TBU-RS055-300-WH占用的电路板空间不足分立式解决方案的一半。


Renesas推出高性能串行MRAM

图源 | 瑞萨电子

Renesas Electronics(瑞萨电子)高性能串行MRAM是非易失性磁阻随机存取存储器 (MRAM) 器件,读取和写入速度高达108MHz。

MRAM技术类似于闪存技术,具有SRAM兼容读/写计时(持久性SRAM、P-SRAM)。数据始终非易失性,85°C时,耐久性为1016次写入周期,保留时间超过20年。

MRAM支持在存储器中随机读写,适合用于在不引起较大延迟处罚的情况下存储和检索数据的应用。

采用低延迟、低功耗、无限耐久性以及可扩展的非易失性内存技术。


Murata新品MRMS AMR传感器面世


图源 | Murata-ec.com

Murata MRMS AMR传感器可以检测水平磁场,单个磁体支持多个感测位置。

Murata AMR传感器与磁体搭配使用,利用受外部磁场强度影响的磁阻率变化。这些AMR传感器不受磁极性影响,这意味着它们以相同方式检测强正磁场和强负磁场。

MRMS AMR传感器的检测区域比霍尔IC的更宽,不是磁簧开关等机械元件。这些设计元件提高了灵活性,减小了封装尺寸。

  • 电源电压:1.6V至3.5V或3.5V至5.5V
  • 磁性开关类型:开闭开关
  • 敏感度:0.5mT(最小值)至2.5mT(最大值) (MRMS201A-001和MRMS205A-001)0.8mT(最小值)至2.0mT(最大值)(MRMS501A-001和MRMS511X-001)

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