IRF540N引脚图
IRF540N场效应管参数
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:33A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.04ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:94W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率, Pd:120W
器件标记:IRF540N
引脚节距:2.54mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
结至外壳 A:1.1°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:27A
电流, Idm 脉冲:110A
表面安装器件:通孔安装
以上就是本文的全部内容了。