IRF540工作原理 IRF540N参数及代换

IRF540是一种常见的N沟道增强型 MOSFET用于非常快速的开关操作以及放大过程与一般晶体管相比,IRF540 的输入阻抗相当高,因此非常敏感。

TO-220AB 的低热阻和低成本封装很受欢迎,IRF540 可以处理高达23A的最大负载,最大负载电压高达100V DC,其沟槽技术使IRF540能够达到高水平的驱动能力。

IRF540 能够执行高速切换,用于需要高速切换负载的各种应用,例如 UPS。

IRF540 还可以作为功放使用,最大功耗100W,非常适合搭建大功率音频放大器,也可以用于大功率音频放大级。

 

IRF540工作原理

IRF540晶体管的工作原理:当vGS数值较小,吸引电子的能力不强时,源极之间仍无导电沟道出现。 vGS增加时,吸引到P衬底表面层的电子就增多。 当vGS达到某一数值时,这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层,且与两个N+区相连通,源极间形成N型导电沟道,其导电类型与P衬底相反。 故又称为反型层。 vGS越大,作用于半导体表面的电场就越强,吸引到P衬底表面的电子就越多,导电沟道越厚,沟道电阻越小。

IRF540N

IRF540N参数及代换

针脚数:3;

功率Pd:120W;

引脚节距:2.54mm;

满功率温度:25°C;

功耗:94W。

 

作用:由于IRF540N主要是为配件提供稳定的电压,所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组IRF540N,IRF540N一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。

IRF540N为压控元件,只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通,它的导通就像三极管在饱和状态一样,导通结的压降最小。

代换:可用IRF640进行替代。

 

以上就是本文的全部内容了。