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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
制造商:
Infineon
制造商型号:
IPD65R660CFDBTMA1
符合标准:
Rohs 符合
含铅
数据手册:
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IPD65R660CFDBTMA1数据表
Newark
分销商编号：
13AC9050
交货地:
港台地区
单价:
- 阶梯 人民币价格(含税) 美元价格
- 1+ - $1.9000
- 10+ - $1.6700
- 25+ - $1.5300
- 50+ - $1.4100
- 100+ - $1.2200
- 250+ - $1.1000
- 500+ - $0.9910
- 1000+ - $0.9610
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