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HGT1S10N120BNST

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Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, TO-263AB, 3 PIN

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Source Content uid

HGT1S10N120BNST

Brand Name

Fairchild Semiconductor

不含铅

符合

Transferred

D2PAK

TO-263AB, 3 PIN

2LD,TO263, SURFACE MOUNT

not_compliant

EAR99

8541.29.00.95

3053

7.2

LOW CONDUCTION LOSS

COLLECTOR

35 A

1200 V

SINGLE

200 ns

20 V

TO-263AB

R-PSSO-G2

150 °C

PLASTIC/EPOXY

RECTANGULAR

SMALL OUTLINE

260

N-CHANNEL

298 W

Not Qualified

15 ns

YES

MATTE TIN

GULL WING

SINGLE

MOTOR CONTROL

SILICON

330 ns

32 ns

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